| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 动作时间(平均) | 1.5ms |
| LED压降(最大) | 1.5V |
| 导通电阻(最大) | 35 ohm |
| LED压降(平均) | 1.25V |
| 开路状态漏电流(最大) | 10μA |
| 输入/输出绝缘电阻(最小) | 1000 M ohm |
| 连续负载电流 | 0.13A |
| 保存温度 | -40℃～+100℃ |
| 端子形状 | Through Hole |
| 最大正向电流 | 1A |
| 触点结构 | 1b |
| 使用环境温度 | -40℃～+85℃ |
| 动作LED电流(最大) | 3mA |
| 复位时间(平均) | 0.3ms |
| 推荐动作条件(输入LED电流) | 5-10mA |
| 输出端子间容量(平均) | 110 pF |
| 耐电压 | 5000V AC |
| 封装 | DIP6 |
| 输入/输出间端子容量(平均) | 0.8pF |
| 国外标准 | UL, C-UL, BSI |
| 负载电压 | 350 V |
| 复位LED电流(最小) | 0.4mA |
| 最大允许LED电流 | 50mA |
| 输入/输出间端子容量(最大) | 1.5pF |
| 特点 | 实现了经济价格的低成本型Photo MOS常闭型 |
| 包装方式 | Tube packing |
| 全部允许损耗 | 550mW |
| 动作LED电流(平均) | 1.9mA |
| LED反向电压 | 5V |
| 导通电阻(平均) | 18 ohm |
| 复位LED电流(平均) | 1.8mA |
| 订货产品号 | AQV410EH |
| 部允许损耗 | 75mW |
| 系列 | PhotoMOS? AQV |
| 电路 | SPST-NC (1 Form B) |
| 导通电阻 | 35 Ohm |
| 输出类型 | AC, DC |
| 负载电路 | 130mA |
| 输入电压 | 1.14VDC |
| 负载电压 | 0 ~ 350 V |
| 安装类型 | Through Hole |
| 端接类型 | PC Pin |
| 继电器类型 | Relay |
| 供应商设备封装 | 6-DIP |
| 序号 | 描述 | |
|---|---|---|
| 1 |
 文档(Document)
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粤公网安备 44030502003347号